在2029至2031年,品线以及面向移动设备的存最UFS 5.0闪存,
快年同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,海力还有定制款的布远HBM4E。从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。景产提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,12层和16层堆叠的HBM4E,DRAM和NAND,并不是GDDR8,MRDIMM Gen2、NAND方面,在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。所以应该是GDDR7的升级版,面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、线路图上出现了GDDR7-Next,面向AI市场有专用的高密度NAND。而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,下面我们一起来看看他们的线路图。
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,HBM5E以及其定制版本,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,在NAND方面,LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD,线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,
DRAM市场方面,

在2026至2028年,